DTC143XE3HZGTL
Rohm Semiconductor
Deutsch
Artikelnummer: | DTC143XE3HZGTL |
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Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
Teil der Beschreibung.: | NPN, SOT-416, R1R2 LEAK ABSORPTI |
Datenblätte: | None |
RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $0.42 |
10+ | $0.313 |
100+ | $0.1773 |
500+ | $0.1174 |
1000+ | $0.09 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50 V |
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Transistor-Typ | NPN - Pre-Biased |
Supplier Device-Gehäuse | EMT3 |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 10 kOhms |
Widerstand - Basis (R1) | 4.7 kOhms |
Leistung - max | 150 mW |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Verpackung / Gehäuse | SC-75, SOT-416 |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Frequenz - Übergang | 250 MHz |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 30 @ 10mA, 5V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 100 mA |
Grundproduktnummer | DTC143 |
DTC143XK ROHM
NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR
NPN, SOT-416, R1R2 LEAK ABSORPTI
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2024/12/17
2024/05/15
2024/10/16
2024/01/30
DTC143XE3HZGTLRohm Semiconductor |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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